深谙碳化硅（SiC）材料的非凡潜能，巨子半导体凭借深厚的技术积淀，成功开发出一系列杰出的SiC器件产品，涵盖了SiC肖特基二极管和SiC MOSFET两大类，为多元化的电力应用领域引入革命性产品性能和卓越解决方案。

SiC肖特基二极管系列

卓越性能，对标国际先进水平

巨子半导体SiC肖特基二极管器件，凝聚业界顶尖的性能特性：

• 先进的MPS结构设计，抗浪涌电流能力强；
• 零反向恢复电流，零反向恢复电荷，工作频率高；
• 正向压降正温度系数，易于并联；
• 6英寸薄片工艺，芯片厚度100um，热阻低，散热好;
• 最高工作结温175℃。

SiC材料的高禁带宽度、高电子饱和漂移率、高临界击穿场强、高热导率和耐温高，赋予了巨子半导体SiC器件卓越的性能。在高功率、高温度和高频率的极端环境下，SiC肖特基二极管系列产品始终能够稳定运行，保障项目安全高效。定制化解决方案卓越设计，满足客户多样性需求。

巨子半导体SiC肖特基二极管系列产品，设计涵盖了多个反向电压，包括650V、1200V和1700V，适配不同条件下的应用环境。无论是TO-220-2L、TO-247-3L，还是TO-252、TO-263等，多种封装形式为客户提供充足空间去创造不同应用场景下的可能性。

共创未来

卓越应用，创造无限可能

巨子半导体的SiC肖特基二极管系列产品，在服务器电源、电动汽车OBC、充电桩等高效电源领域广泛应用，为终端应用的科技创新提供完美实现的关键支持，助力高科技产业共同创造更多无限可能！