覆盖SiC MOSFET、SiC Schottky二极管及功率模组，满足多样化应用需求
GC2M系列，击穿电压650V/1200V/1700V/3300V，导通电阻10~1000mΩ，寄生电容小，开关损耗极低
GC2D系列，先进MPS结构设计，零反向恢复电流，6英寸薄片工艺，芯片厚度100um
HPD/Econodual/DWC3/DCM/62mm/Q2六大封装系列，800A最大电流，Pin-Fin水冷散热
我们的技术团队将根据您的应用需求推荐最合适的SiC器件方案