从材料到封装，巨子半导体构建了SiC器件全产业链技术能力
自主掌握SiC同质外延生长技术，实现低缺陷密度、均匀性优异的外延层，从材料源头保证器件可靠性。
拥有SiC MOSFET和SBD芯片自主设计能力，优化元胞结构与终端保护，实现低导通电阻与高可靠性。
6英寸SiC晶圆产线，成熟的离子注入、高温氧化、金属化工艺，保障芯片一致性与良率。
掌握银烧结、铜键合等先进封装技术，实现低热阻、高功率密度SiC模组，适配车规与工业级需求。
建立完整的可靠性测试体系，包括HTRB、HTGB、TST、TC等，全流程保障产品车规级品质。
专业FAE团队提供器件选型、驱动设计、热管理到系统优化的全链条技术支持服务。
采用自主优化的沟槽栅结构设计，有效降低沟道电阻，实现业界领先的导通电阻水平，1200V器件最低可达15mΩ。
创新叠层母排与键合线优化设计，模组杂散电感低于5nH，支持高频开关，显著降低电压尖峰与EMI问题。
采用无铅银烧结芯片贴装工艺，热阻降低30%以上，满足车规级高温循环寿命要求，绿色环保。
自主开发SiC高温栅氧生长工艺，栅氧界面态密度低，阈值电压稳定性优异，保障长期可靠工作。