从材料到封装，巨子半导体构建了SiC器件全产业链技术能力
碳化硅作为第三代半导体材料，在禁带宽度、临界击穿电场、热导率等关键性能参数上全面超越传统硅基功率器件。
覆盖SiC外延生长、芯片设计、晶圆制造、先进封装全产业链，掌握低导通电阻沟槽MOSFET、银烧结封装等核心技术。
严格遵循JEDEC与AEC-Q101标准，建立HTRB、HTGB、TST、TC等完整可靠性测试体系，确保每一颗器件的长期可靠性。
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