SiC vs Si 对比

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SI VS SI

SiC vs 传统硅器件

碳化硅作为第三代半导体材料，在关键性能参数上全面超越传统硅基功率器件

Si 硅基器件

  • 禁带宽度1.12 eV
  • 临界击穿电场0.3 MV/cm
  • 电子饱和漂移速度1.0 × 10⁷ cm/s
  • 热导率1.5 W/cm·K
  • 最高工作温度150°C
  • 开关损耗高
  • 系统效率基准

SiC 碳化硅器件

  • 禁带宽度3.26 eV
  • 临界击穿电场3.0 MV/cm
  • 电子饱和漂移速度2.0 × 10⁷ cm/s
  • 热导率4.9 W/cm·K
  • 最高工作温度200°C+
  • 开关损耗低 70%+
  • 系统效率提升 3-5%

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